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NVBGS6D5N15MC

Marking：NVBGS6D5N15；Package：D2PAK7；MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?LowersSwitchingNoise/EMI ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerTools,Battery

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVBGS6D5N15MC

MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 150 V, 7 mΩ, 121 A; ? Low RDS (on)\n? Minimize Conduction Losses\n? Low QG and Capacitance\n? Minimize Driver Losses\n? Lowers Switching Noise/EMI\n? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable\n? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\n;

Automotive Power MOSFET in D2PAK 7 leads package. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBGS6D5N15MC

MOSFET-Power,SingleN-Channel,D2PAK7150V,7m,121A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • Halide free：

    H

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    150

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    4.5

  • ID Max (A)：

    121

  • PD Max (W)：

    238

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    57

  • Ciss Typ (pF)：

    4745

  • Package Type：

    D2PAK-7/TO-263-7

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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訂貨1周 原裝正品
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更多NVBGS6D5N15MC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 9:12:00

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