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NUS2045MNT1G電路保護的TVS-混合技術規(guī)格書PDF中文資料

NUS2045MNT1G
廠商型號

NUS2045MNT1G

參數屬性

NUS2045MNT1G 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為電路保護的TVS-混合技術;NUS2045MNT1G應用范圍:通用;產品描述:IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

功能描述

Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

封裝外殼

8-VDFN 裸露焊盤

文件大小

129.889 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-8-6 11:52:00

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NUS2045MNT1G規(guī)格書詳情

NUS2045MNT1G屬于電路保護的TVS-混合技術。由安森美半導體公司制造生產的NUS2045MNT1GTVS - 混合技術混合技術 TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)產品族中的產品屬于過壓保護產品,其中結合了基于多種技術的保護機制,例如串聯(lián)連接的 MOV(金屬氧化物壓敏電阻)和 GDT(氣體放電管),旨在同時獲得低漏電流和自恢復箝位工作特性。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NUS2045MNT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    電路保護 > TVS - 混合技術

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 電壓 - 箝位:

    7.08V

  • 技術:

    混合技術

  • 應用:

    通用

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    8-DFN(3.3x3.3)

  • 描述:

    IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

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