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NUS1204MNT1G電路保護的TVS-混合技術(shù)規(guī)格書PDF中文資料

NUS1204MNT1G
廠商型號

NUS1204MNT1G

參數(shù)屬性

NUS1204MNT1G 封裝/外殼為6-WDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為電路保護的TVS-混合技術(shù);NUS1204MNT1G應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:IC OVP W/P-CH MOSFET WDFN6 2X2

功能描述

Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
IC OVP W/P-CH MOSFET WDFN6 2X2

封裝外殼

6-WDFN 裸露焊盤

文件大小

59.77 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-6 12:30:00

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NUS1204MNT1G規(guī)格書詳情

NUS1204MNT1G屬于電路保護的TVS-混合技術(shù)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NUS1204MNT1GTVS - 混合技術(shù)混合技術(shù) TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)產(chǎn)品族中的產(chǎn)品屬于過壓保護產(chǎn)品,其中結(jié)合了基于多種技術(shù)的保護機制,例如串聯(lián)連接的 MOV(金屬氧化物壓敏電阻)和 GDT(氣體放電管),旨在同時獲得低漏電流和自恢復(fù)箝位工作特性。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NUS1204MNT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    電路保護 > TVS - 混合技術(shù)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 電壓 - 箝位:

    4.725V

  • 技術(shù):

    混合技術(shù)

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-WDFN(2x2)

  • 描述:

    IC OVP W/P-CH MOSFET WDFN6 2X2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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