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NTTFS4C65NTWG數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

NTTFS4C65NTWG

參數(shù)屬性

NTTFS4C65NTWG 封裝/外殼為8-PowerWDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

功能描述

MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

封裝外殼

8-PowerWDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-16 23:01:00

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NTTFS4C65NTWG規(guī)格書詳情

簡介

NTTFS4C65NTWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的NTTFS4C65NTWG晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NTTFS4C65NTWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    7.7A(Ta)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-WDFN(3.3x3.3)

  • 封裝/外殼:

    8-PowerWDFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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