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NVHL110N65S3	文件：354.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·Providesuperiorsw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NVHL110N65S3F	文件：399.57 Kbytes Page：11 Pages	MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,FRFET650V,30A,110m Description SUPERFETIIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand-newhigh voltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergate chargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimize conductionloss,pro	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NVHL110N65S3HF	文件：356.12 Kbytes Page：11 Pages	MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,FRFET650V,30A,110m Description SUPERFETIIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand-newhigh voltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergate chargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimize conductionloss,prov	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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