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NTMS4177PR2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR英博爾電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NTMS4177PR2G
- 功能描述:
MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市英博爾電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
趙經(jīng)理
- 手機(jī):
14704756432
- 詢價:
- 電話:
14704756432
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號現(xiàn)代之窗A座23C1
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- NTMTS002N08MC
- NTMFS5C628NLT1G-01
- NTND1K5N021ZTAG
- NTMFS5C628NLT1G
- NTND3184NZTAG
- NTMFS5C612NLT1G-01
- NTP125N02R
- NTMFS5C612NLT1G
- NTP18N06G
- NTMFS5C604NT1G
- NTP18N06L