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NTMS4177PR2G_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR勝彬電子
- 詳細信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NTMS4177PR2G
- 功能描述:
MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
相近型號
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