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NTMFS4833N中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTMFS4833N
廠商型號

NTMFS4833N

功能描述

Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL

文件大小

75.29 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 8:08:00

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NTMFS4833N規(guī)格書詳情

MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 191 A

特性 Features

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low Capacitance to Minimize Driver Losses

? Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

? These are Pb?Free Devices

Applications

? Refer to Application Note AND8195/D

? CPU Power Delivery

? DC?DC Converters

? Low Side Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTMFS4833N

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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