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NTLUD3A260PZTAG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTLUD3A260PZTAG
廠商型號

NTLUD3A260PZTAG

功能描述

Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P??hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

文件大小

112.67 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-4 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTLUD3A260PZTAG

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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