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NTLJD4150PTBG

Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PDS4150

4AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierhasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications.Itisideallysuitedtouseas: ?PolarityProtectionDiode ?Re-circulatingDiode ?SwitchingDiode FeaturesandBenefits ?GuardRingDieConstructi

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

PDS4150

4AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

PDS4150

4AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

PE4150

UltraCMOSLowFrequencyPassiveMixerwithIntegratedLOAmplifier

PSEMI

pSemi Corporation

PE4150

TNCFEMALEBULKHEADSOLDER/CLAMPATTACHMENTFORRG402PE-SR402AL&PE-SR402FL

TNCFEMALEBULKHEADSOLDER/CLAMPATTACHMENTFORRG402PE-SR402AL&PE-SR402FL

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

PE4150

UltraCMOSLowFrequencyPassiveMixerwithIntegratedLOAmplifier

ProductDescription ThePE4150isanultra-highlinearityQuadMOSFETmixerwithanintegratedLOamplifier.TheLOamplifierallowsforLOdrivelevelsoflessthan0dBmtoproduceIIP3valuessimilartoaQuadMOSFETArraydrivenwitha15dBmLOdrive.ThePE4150operateswithdifferentialsi

Peregrine

Peregrine Semiconductor Corp.

PE4150

UltraCMOS

Peregrine

Peregrine Semiconductor Corp.

PMLL4150

High-speeddiodes

DESCRIPTION ThePMLL4150,PMLL4151,PMLL4153arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages. FEATURES ?SmallhermeticallysealedglassSMDpackage ?Highswitchingspeed:max.4ns ?Generalapplication

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PPC-4150W-RAE

15.6FanlessWideScreenPanelPCwithIntelAtomDual-CoreProcessor

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國）有限公司

詳細參數

  • 型號：

    NTLJD4150PTBG

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMICON
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ON Semiconductor
22+
6WDFN
9000
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2023+
6DFN
50000
原裝現貨
 詢價
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