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NTHL080N120SC1A_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?U

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NTHL080N120SC1A_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-18 15:08:00

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