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NTHL060N090SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTHL060N090SC1
廠商型號(hào)

NTHL060N090SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900V, M2, TO-247-3L

文件大小

764.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-17 22:59:00

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NTHL060N090SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

? Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC?DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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