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NTHL040N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=40m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG040N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M1,D2PAK-7

Features ?Typ.RDS(on)=40m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多NTHL040N120SC1_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-17 22:24:00