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NTHD3101FT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTHD3101FT1G
廠商型號

NTHD3101FT1G

功能描述

Power MOSFET and Schottky Diode

文件大小

140.34 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-18 10:51:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTHD3101FT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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