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NTGD4161PT1G

Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTGD4161PT1G

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NTGD4161PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
25+
SOT23-6
37780
ON/安森美全新特價NTGD4161PT1G即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多NTGD4161PT1G供應商 更新時間2025-7-21 18:34:00