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NTE293	文件：20.87 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver Description: TheNTE293(NPN)andNTE294(PNP)aresiliconcomplementarytransistorsinaGiantTO92typepackagedesignedforuseinlow–frequencypoweramplificationanddriveapplications. Features: ●LowCollector–EmitterSaturationVoltage	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2930	文件：24.12 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerRDS(on):0.032?Typ ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=100V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2931	文件：24.12 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.144?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=200V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2932	文件：24.12 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.071?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=200V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2933	文件：24.11 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.437?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=400V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2934	文件：24.14 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.254?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=400V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2935	文件：24.11 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.638?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=500V	NTE NTE Electronics	NTE
NTE2936	文件：24.1 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.308?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=500V	NTE NTE Electronics	NTE

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
NTE293
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR NPN SILICON 60V IC=1A GIANT TO-92 CASE AUDIO AMP & DRIVER COMP'L TO N
功能描述：
RF TRANSISTOR NPN -3V 200MHZ TO-92
功能描述：
RF TRANSISTOR, NPN, -3V, 200MHZ, TO-92
功能描述：
T-NPN- SI-AF POPD .75 W
功能描述：
RF TRANSISTOR, NPN, -3V, 200MHZ, TO-92; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
50V; Transition Frequency Typ
ft：
200MHz; Power Dissipation
Pd：
1W; DC Collector
Current：
1A; DC Current Gain
hFE：
240; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	NTE293		新		5	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	NTE293		2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	NTE293		24+	N/A	73000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	NTE2956	NTE	23+		39329	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)

更多NTE293供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-26 16:06:00

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