NTE2380中文資料NTE數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NTE2380 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch |
| 文件大小 |
29.58 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NTE Electronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NTE |
| 中文名稱 | NTE Electronics官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 9:55:00 |
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NTE2380規(guī)格書詳情
Description:
The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.
Features:
? Silicon Gate for Fast Switching Speeds
? Rugged – SOA is Power Dissipation Limited
? Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NTE2380
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 500V ID=2A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET 500V 2.5A TO-220
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220
- 功能描述：
MOSFET-PWR N-CH HI SPEED
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
2.5A; Drain Source Voltage
- Vds：
500V; On Resistance
- Rds(on)：
3ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V ;RoHS
- Compliant：
Yes
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2022+ |
88 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | ||||
NTE |
23+ |
39282 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
NTE |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
48000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
NTE ELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
新 |
92 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) |
