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NTD6416AN-1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD6416AN-1G
廠商型號

NTD6416AN-1G

功能描述

MOSFET – Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 m

文件大小

235.14 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 20:00:00

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NTD6416AN-1G規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low RDS(on)

? High Current Capability

? 100 Avalanche Tested

? NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTD6416AN-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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DPAK3WSTRPBF
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
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NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
國產(chǎn)
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