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NTD3813N-35G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD3813N-35G
廠商型號

NTD3813N-35G

功能描述

Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

文件大小

100.17 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 11:37:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTD3813N-35G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
N/A
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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十年配單,只做原裝
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