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NTBG020N120SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTBG020N120SC1
廠商型號

NTBG020N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

349.03 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 21:28:00

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NTBG020N120SC1規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 20 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC?DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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D2PAK-7
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