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NTB5605T4G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTB5605T4G
廠商型號

NTB5605T4G

功能描述

Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp

文件大小

94.9 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 8:32:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTB5605T4G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
D2PAK
101185
詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
23+
TO-263-3
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
詢價
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23+
TO-263
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
國產(chǎn)
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ON(安森美)
2324+
NA
78920
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ON/安森美
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D2PAK-3
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