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NSM21356DW6T1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NSM21356DW6T1G
廠商型號

NSM21356DW6T1G

功能描述

Dual Complementary Transistors

文件大小

77.19 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 11:31:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NSM21356DW6T1G

  • 功能描述:

    TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    70mA,100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)(歐):

    47k,2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)(歐):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換:

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商設備封裝:

    PG-SOT363-6

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 其它名稱:

    SP000784046

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HDK
SMD
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ON/安森美
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