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首頁(yè)>NSBC123TPDP6T5G>規(guī)格書(shū)詳情

NSBC123TPDP6T5G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NSBC123TPDP6T5G
廠商型號(hào)

NSBC123TPDP6T5G

功能描述

Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 =  k

文件大小

106.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-10 23:00:00

人工找貨

NSBC123TPDP6T5G價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NSBC123TPDP6T5G

  • 功能描述:

    開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-963 COMP NBRT

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
24+
SOT963
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