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NSBC123TF3數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF

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廠商型號

NSBC123TF3

參數(shù)屬性

NSBC123TF3 封裝/外殼為SOT-1123;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

功能描述

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

封裝外殼

SOT-1123

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 23:00:00

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NSBC123TF3規(guī)格書詳情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

? Simplifies Circuit Design
? Reduces Board Space
? Reduces Component Count
? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

簡介

NSBC123TF3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置。由制造生產(chǎn)的NSBC123TF3晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項(xiàng)目成本。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :NSBC123TF3

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :160

  • R1 (kΩ)

    :2.2

  • R2 (kΩ)

    :Infinity

  • R1/R2 Typ

    :-

  • Vi(off) Max (V)

    :0.5

  • Vi(on) Min (V)

    :1.1

  • Package Type

    :SOT-1123-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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SOT1123
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