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NSBC114TDXV6數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置規(guī)格書PDF

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廠商型號

NSBC114TDXV6

參數(shù)屬性

NSBC114TDXV6 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

功能描述

Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 20:03:00

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NSBC114TDXV6規(guī)格書詳情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

? Simplifies Circuit Design
? Reduces Board Space
? Reduces Component Count
? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

簡介

NSBC114TDXV6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置。由制造生產(chǎn)的NSBC114TDXV6晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置預(yù)偏置的雙極晶體管陣列包含兩個或更多雙極晶體管,同時電阻以可能有用的方式連接到每個晶體管;通常在每個晶體管的發(fā)射極和基極端子之間有一個電阻,同時有另一個電阻連接到每個晶體管的基極端子和器件封裝上的用戶可訪問引腳。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :NSBC114TDXV6

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :Dual NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :160

  • R1 (kΩ)

    :10

  • R2 (kΩ)

    :Infinity

  • R1/R2 Typ

    :-

  • Vi(off) Max (V)

    :0.5

  • Vi(on) Min (V)

    :1.7

  • Package Type

    :SOT-563

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSEMI
16+
SOT563-6
4000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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