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NSBC113EPDXV6T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NSBC113EPDXV6T1G
廠商型號(hào)

NSBC113EPDXV6T1G

參數(shù)屬性

NSBC113EPDXV6T1G 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

功能描述

Complementary Bias Resistor Transistors
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

文件大小

82.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 23:01:00

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NSBC113EPDXV6T1G規(guī)格書(shū)詳情

NSBC113EPDXV6T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-陣列-預(yù)偏置。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSBC113EPDXV6T1G晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置預(yù)偏置的雙極晶體管陣列包含兩個(gè)或更多雙極晶體管,同時(shí)電阻以可能有用的方式連接到每個(gè)晶體管;通常在每個(gè)晶體管的發(fā)射極和基極端子之間有一個(gè)電阻,同時(shí)有另一個(gè)電阻連接到每個(gè)晶體管的基極端子和器件封裝上的用戶可訪問(wèn)引腳。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NSBC113EPDXV6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
24+
SOT-563
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ON/安森美
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