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NSBA114YDXV6T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NSBA114YDXV6T1G
廠商型號(hào)

NSBA114YDXV6T1G

功能描述

Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 k, R2 = 47 k

文件大小

124.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-12 15:43:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NSBA114YDXV6T1G

  • 功能描述:

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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