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NSB13211DW6T1G數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NSB13211DW6T1G

功能描述

Dual Complementary Bias Resistor Transistors

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 23:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    NSB13211DW6T1G

  • 功能描述:

    TRANS BRT DUAL COMPL SC-88

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    70mA,100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)(歐):

    47k,2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)(歐):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換:

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PG-SOT363-6

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 其它名稱:

    SP000784046

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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