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NPTB00004A數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

NPTB00004A

參數(shù)屬性

NPTB00004A 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC

功能描述

GaN Amplifier 28 V, 5 W, DC - 6 GHz

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名稱

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 23:01:00

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NPTB00004A規(guī)格書詳情

描述 Description

The NPTB00004A GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC-6 GHz operation. This device has been designed for CW, pulsed, and linear operation with output power levels to 5W (37 dBm) in an industry standard surface mount SOIC plastic package. At frequencies below 3GHz, the NPTB00004A is a drop in replacement for the NPTB00004. For load-pull data and non-linear models, please send an e-mail to applications@macom.com.

特性 Features

·Broadband Operation from DC-6 GHz
·Drop in Replacement for NPTB00004
·High Drain Efficiency (>55%)
·Industry Standard Plastic Package
·28V Operation

應(yīng)用 Application

·Aerospace and Defense
·Broadband General Purpose
·Defense Communications
·ISM
·VHF/UHF/L-Band Radar
·Wireless Infrastructure

技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    NPTB00004A

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    0Hz ~ 6GHz

  • 增益:

    14.8dB

  • 額定電流(安培):

    1.4A

  • 功率 - 輸出:

    4W

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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