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NPT1004D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

NPT1004D

參數(shù)屬性

NPT1004D 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC

功能描述

GaN Amplifier 28 V, 45 W, DC - 4 GHz

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名稱

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 17:49:00

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NPT1004D規(guī)格書詳情

描述 Description

For load-pull data and non-linear models, please send an e-mail to applications@macom.com

特性 Features

·2-Stage High Power MMIC Amplifier
·RTH of 2.7°C/W Resulting in 20+ Years of Operation at Max Flange of 90°C at PSAT
·Typical 50W Broadband Saturated Power Output Across 1.0-2.0GHz
·Unmatched Output for Tuning Flexibility
·Input Matched to 50 Ohms
·Subject to EAR99 Export Control

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :NPT1004D

  • 生產(chǎn)廠家

    :MACOM

  • Min Frequency(MHz)

    :0

  • Max Frequency(MHz)

    :4000

  • Supply Voltage(V)

    :28

  • PSAT Watt(W)

    :45.0

  • Gain(dB)

    :13.0

  • Efficiency

    :55

  • Test Freq(GHz)

    :2.50

  • Package

    :SOIC8NE

  • Package Category

    :Plastic

  • PSAT(dBm)

    :47

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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