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NP83P06PDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.8mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?41.5A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?41.5A) ?Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP83P06PDG-E1-AY

-60V – -83A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.8m?Max.(VGS=-10V,ID=-41.5A) RDS(on)=12m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-41.5A) ?Lowinputcapacitance:Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP83P06PDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NP83P06PDG-E1-AY

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -60V 83A TO-263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NP83P06PDG-E1-AY供應商 更新時間2025-7-28 14:14:00

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