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NP50P06KDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P06KDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NP50P06KDG-E2-AY

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP50P06KDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 14:14:00

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