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NP36N10SDE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP36N10SDE
廠商型號

NP36N10SDE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

257.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 8:24:00

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NP36N10SDE規(guī)格書詳情

描述 Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

? Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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