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NP35N04YLG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP35N04YLG
廠商型號

NP35N04YLG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

215.51 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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NP35N04YLG規(guī)格書詳情

描述 Description

The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A)

? RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A)

? Logic level drive type

? Gate to Source ESD protection diode built in

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
24+
NA/
1649
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!
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QFN8
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RENESAS/瑞薩
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