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NP35N04YLG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP35N04YLG-E1-AY
廠商型號(hào)

NP35N04YLG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

215.51 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 23:01:00

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NP35N04YLG-E1-AY規(guī)格書詳情

描述 Description

The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A)

? RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A)

? Logic level drive type

? Gate to Source ESD protection diode built in

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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