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NP22N055SLE-E1-AY中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NP22N055SLE-E1-AY |
| 功能描述 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
897.27 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VBSEMI |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 18:29:00 |
| 人工找貨 | NP22N055SLE-E1-AY價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NP22N055SLE-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO-252 |
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
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- |
23+ |
NA |
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TO252 |
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NEC |
24+ |
TO252 |
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
25+ |
TO252 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) |
