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NP109N04PUJ-E1B-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
NP109N04PUJ-E1B-AY |
功能描述 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
318.16 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
中文名稱 | 瑞薩 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-7 16:10:00 |
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NP109N04PUJ-E1B-AY規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
? Low input capacitance
Ciss = 6900 pF TYP.
? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NP109N04PUJ-E1B-AY
- 功能描述:
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
24+ |
TO-263-3 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESA |
24+ |
TO263 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
RENESA |
24+ |
TO263 |
16900 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESA |
15+ |
TO263 |
371 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
MP-25ZPTO-263 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
Renesas |
2023+ |
TO-263-3 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
RENESA |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESA |
2511 |
TO263 |
1128 |
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
MP-25ZPTO-263 |
32687 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |