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NJVMJD112T4G

Complementary Darlington Power Transistors

Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJVMJD112T4G

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJVMJD112T4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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MJD112T4

ComplementarypowerDarlingtontransistors

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

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ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplications

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MJD112T4

SILICONPOWERTRANSISTORS2AMPERES100VOLTS20WATTS

ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlastic

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD112T4G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NJVMJD112T4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多NJVMJD112T4G供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 23:00:00

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