描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain amplifier applications.

特性 Features

? High DC Current Gain - hfe = 120(min)@Ic = 500 mA
? NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

應用 Application

? Ideal for high gain amplifier applications.

簡介

NJD2873屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產的NJD2873晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。