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NGTG50N60FLWG

IGBT，PFC，高頻率，50 A，600 V; Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology\nReduces System Power Dissipation\nLow Switching Loss Reduces System Power Dissipation\nOptimized for High Speed Switching\n5μs Short Circuit Capability\n;

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG50N60FLWG

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG50N60FLWG

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 50A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG50N60FWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PJM50N60TE

N-ChannelPowerMOSFET

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司

RM50N60DF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60DFV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60IP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTG50N60FLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.1mJ（開），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    116ns/292ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，50A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 50A TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2010+
N/A
194
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
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TO-247
1675
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3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
TO247
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-247
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
onsemi
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TO-247-3
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
ON
20+
TO-247
38900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
更多NGTG50N60FLWG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 15:08:00

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