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NGTD30T120F2

IGBT 1200V 40A FS2 bare die; ? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology\n? TJmax = 175°C\n? Optimized for High Speed Switching\n? 10 \u0002μs Short Circuit Capability\n? These are Pb?Free Devices\n;

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and\ncost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior\nperformance in demanding switching applications, offering both low\non state voltage and minimal switching loss.

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Package：模具；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • V(BR)CES Typ (V)：

    1200

  • VCE(sat) Typ (V)：

    2

  • Short Circuit Withstand (μs)：

    10

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多NGTD30T120F2供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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