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NGTB75N65FL2WG

Field Stop and trench IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features ?ExtremelyEfficientTrenchw

ONSEMION Semiconductor

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NGTB75N65FL2WG

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

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NGTB75N65FL2WG_V01

IGBT

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NGTB75N65FL2WG_16

IGBT

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產品屬性

  • 產品編號：

    NGTB75N65FL2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，75A

  • 開關能量：

    1.5mJ（開），1mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    110ns/270ns

  • 測試條件：

    400V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NGTB75N65FL2WG供應商 更新時間2025-7-27 8:12:00

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