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NGTB50N65FL2WG

Marking:50N65FL2;Package:TO-247;IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N65FL2WG

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N65FL2WG_V01

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N65FL2WG_16

IGBT - Field Stop II

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB50N65FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.5mJ(開),460μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    100ns/237ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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更多NGTB50N65FL2WG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 9:38:00