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SCM40N120PS

1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

STGW40N120KD

40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TRS40N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=108nC(typ.) (4)Lowreversecurr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TSG40N120

N-ChannelIGBTwithFRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSG40N120CE

N-ChannelIGBTwithFRD

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB40N120FLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    2.6mJ（開），1.6mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    130ns/385ns

  • 測試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A TO247

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更多NGTB40N120FLWG供應商 更新時間2025-7-28 23:00:00

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