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SGP15N120

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS ?NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW15N120

FastIGBTinNPT-technology

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FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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InfineonInfineon Technologies AG

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SKW15N120

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKW15N120

FASTIGBTINNPT-TECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARALLELEmConDIODE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TRS15N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=43nC(typ.) (4)Lowreversecurre

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TSG15N120

N-ChannelIGBTwithFRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSG15N120CN

N-ChannelIGBTwithFRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB15N120IHWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    360μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/130ns

  • 測試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 15A 1200V TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
三年內(nèi)
1983
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ON
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更多NGTB15N120IHWG供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 21:34:00

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