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NGTB10N60FG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB10N60FG
廠商型號

NGTB10N60FG

參數(shù)屬性

NGTB10N60FG 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A TO220F3

功能描述

N-Channel IGBT
IGBT 600V 10A TO220F3

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

406.03 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-13 23:01:00

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NGTB10N60FG規(guī)格書詳情

NGTB10N60FG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB10N60FG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB10N60FG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,10A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    40ns/145ns

  • 測試條件:

    300V,10A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-3FS

  • 描述:

    IGBT 600V 10A TO220F3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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