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NGTB03N60R2DT4G | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/gtb0360rg/marking.html">GTB0360RG;Package:DPAK;IGBT 600V, 4.5A, N-Channel Features ?ReverseConductingIIIGBT ?IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] ?IGBTtf=75ns(typ) ??DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] ??Diodetrr=65ns(typ) ??5?sShortCircuitCapability Applications ?GeneralPurposeInverter | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NGTB03N60R2DT4G | IGBT, 600 V, 4.5 A, N-Channel; ? 5 μs 抗短路能力\n? Safety Design\n? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.7 V (typ)[IC = 3 A, VGE = 15 V]High Speed Switching : tf = 75 ns (typ)\n? High Efficiency\n? High Power Dissipation/Tjmax = 175°C\n? High Reliability\n? 反向?qū)?II IGBT\n? Diode VF = 1.5 V (typ) [IF = 3 A]\n? Diode trr = 65 ns (typ)\n; NGTB03N60R2DT4G is an IGBT, 600 V, 4.5 A, N-Channel. | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NGTB03N60R2DT4G | Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 9A 600V DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NGTB03N60R2DT4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,3A
- 開關(guān)能量:
50μJ(開),27μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
27ns/59ns
- 測試條件:
300V,3A,30 歐姆,15V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 9A 600V DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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onsemi(安森美) |
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TO-252 |
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三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
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ON Semiconductor |
2010+ |
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23+ |
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
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原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
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