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NGB8206AN

Gate??mitter ESD Protection

Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver?Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrents

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGB8206AN

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206AN

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206ANT4G

點火IGBT; ? 柵極發(fā)射極ESD保護\n? 溫度補償型柵極集電極電壓鉗位限制應(yīng)用于載荷的應(yīng)力\n? 集成ESD二極管保護\n? 低閾值電壓將電源載荷接入邏輯或微處理器設(shè)備中\(zhòng)n? 低飽和電壓\n? 高脈沖電流能力\n? 選配柵極電阻(RG)和柵極發(fā)射極電阻(RGE)\n;

這款邏輯電平絕緣柵雙極晶體管(IGBT)配有集成ESD與過壓箝位保護裝置的單片電路,可用于感應(yīng)線圈驅(qū)動器應(yīng)用。 主要用途包括點火、直接燃油噴射或需要高壓與高電流切換的應(yīng)用。\n

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGB8206ANTF4G

點火IGBT; ? 柵極發(fā)射極ESD保護\n? 溫度補償型柵極集電極電壓鉗位限制應(yīng)用于載荷的應(yīng)力\n? 集成ESD二極管保護\n? 低閾值電壓將電源載荷接入邏輯或微處理器設(shè)備中\(zhòng)n? 低飽和電壓\n? 高脈沖電流能力\n? 選配柵極電阻(RG)和柵極發(fā)射極電阻(RGE)\n;

這款邏輯電平絕緣柵雙極晶體管(IGBT)配有集成ESD與過壓箝位保護裝置的單片電路,可用于感應(yīng)線圈驅(qū)動器應(yīng)用。 主要用途包括點火、直接燃油噴射或需要高壓與高電流切換的應(yīng)用。\n

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGB8206ANSL3G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206ANSL3G

Ignition IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206ANT4G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Collector Current-Continuous ICmax (A):

    20

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.3

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy:

    250

  • Max Power Dissipation (W):

    150

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NGB8206AN供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 10:06:00