首頁(yè)>NESG3031M05-T1>規(guī)格書詳情
NESG3031M05-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NESG3031M05-T1 |
| 功能描述 | NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| 文件大小 |
317.71 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 15:36:00 |
| 人工找貨 | NESG3031M05-T1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NESG3031M05-T1規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz
NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 14.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz
? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05, 2012 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NESG3031M05-T1
- 制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述：
Si Small Signal Bipolar Trans
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
20000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
22+ |
SOT-343 |
30000 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2025+ |
SOT343 |
3945 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343SOT-323-4 |
7917 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
RENES |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
NEC |
19+ |
SOT-343 |
20000 |
10 |
詢價(jià) | ||
NEC原裝正品專賣價(jià)格 |
23+ |
SOT343 |
80000 |
專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SOT-343 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
39500 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 支持實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) |
