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NESG270034-T1-AZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

NESG270034-T1-AZ

參數(shù)屬性

NESG270034-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

320.27 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-20 23:01:00

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NESG270034-T1-AZ規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W)

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

FEATURES

? This product is suitable for medium output power (2 W) amplification

Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz

Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 900 MHz

? Using UHS2-HV process (SiGe technology), VCBO (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 25 V

? 3-pin power minimold (34 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NESG270034-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    9.2V

  • 功率 - 最大值:

    1.9W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    750mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-PowerMiniMold

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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